【无解】继续数码管残影的问题

benli

狗狗百里游 发表于 2014-9-21 23:27
切，你的单片机有真正的强上拉不，跟你的单片机io口设置输出为0的时候，实际io输出是强下拉，还是弱上拉？

早说了是弱上拉的开漏输出

狗狗百里游

跟代码无关，实际硬件。

如果你的单片机内部有10K左右的上拉电阻，单片机内部的下拉三极管导通后，会有0.3v的电压，0.3v的电压经过输出三极管，自己看着办吧。这种模式的单片机io输出口，取【vcc，io高电平输出】之间，才是0V

有的单片机io口输出低电平的时候，是vcc高阻被下拉三极管短路，输出是0v。

benli

狗狗百里游 发表于 2014-9-23 02:55
跟代码无关，实际硬件。

如果你的单片机内部有10K左右的上拉电阻，单片机内部的下拉三极管导通后，会有0 ...

0.3v也没法让三极管导通。
实际上是有一个短暂的脉冲干扰。

freesl

还有下文没？

benli

freesl 发表于 2014-9-26 12:26
还有下文没？

最近一段时间忙没空折腾

kangdage

跟人感觉程序也有可能，你没有操作p4不代表p4就一定没有变化，端口是复用的，可能你在别的指令里会操作到。
例如读写外部rom会用到p0p1p3，你这个脉冲就很想这种情况
建议将显示程序单独写出来，最好是能单步或低速执行。
达林顿用手触摸都会有干扰，还是推到用mos重做吧，后极功率三极管用mos直接代换也可

benli

kangdage 发表于 2014-10-3 08:08
跟人感觉程序也有可能，你没有操作p4不代表p4就一定没有变化，端口是复用的，可能你在别的指令里会操作到。 ...

有一点可以肯定，别的地方没有操作这些IO。
照你那么说，MOS输入阻抗非常高，会比三极管更容易受干扰。

kangdage

benli 发表于 2014-10-3 08:43
有一点可以肯定，别的地方没有操作这些IO。
照你那么说，MOS输入阻抗非常高，会比三极管更容易受干扰。

这里不是怎么个解释。
mos输入阻抗是高，但是他是电平驱动，开启电平比较高，相对来说抗干扰能力更强。
达林顿是电流驱动，如果要做放大，前后两级工作点要重合，放大倍数很大。

你可以试一下，达林顿结构输出接led，用手触摸前级，led会亮。
用一级三极管做电平转换，然后驱动mos，用手触摸前级，led没有反应。

请注意这里前级三极管的作用不同，达林顿是用作放大，mos驱动是用作电平转换。

benli

kangdage 发表于 2014-10-4 22:23
这里不是怎么个解释。
mos输入阻抗是高，但是他是电平驱动，开启电平比较高，相对来说抗干扰能力更强。
...

呵呵，与这也无关。单片机低电平是强下拉。

benli

kangdage 发表于 2014-10-4 22:23
这里不是怎么个解释。
mos输入阻抗是高，但是他是电平驱动，开启电平比较高，相对来说抗干扰能力更强。
...

2个三极管主要是做电平转换，没法换成一个MOS的。