使用单NMOS场管的稳压电源问题 （sjtx1971 进）

wulishui

我用MOS试过烧毁的情况都是VGS超压，后来都加上VGS保护。

07@20

我有你这技术那就非常的不错了。

donglele2005

大神重现江湖 ~~~~~~~~~~~~

kazuyuki

这是要出新套件的节奏吗？

3AG1

sjtx1971 发表于 2017-11-1 18:08
我对NMOS管的使用不太懂,我想着在R26上并个小电容,让Q11再启动瞬间不导通,不知道怎么样?

不行的。

容量小了不起作用，大了又会降低反应速度，起不到保护作用。

3AG1

wulishui 发表于 2017-11-1 20:53
我用MOS试过烧毁的情况都是VGS超压，后来都加上VGS保护。

VGS 不会超压的，辅助电源是12V 的稳定电压。

主要是在高电压大电流输出时，短路会造成场管过热，单个场管承受不了最高达600W 的功耗。
传统的做法是使用多只大功率场管并联，功耗分散到每只场管上。

现在想用单只NMOS场管做调整管，压差超过设定值后自动降低输出电流，避免功耗过大。

3AG1

kazuyuki 发表于 2017-11-2 13:23
这是要出新套件的节奏吗？

给 sjtx1971 设计的，估计不会出套件

yanjian

把系统设计成数控的，在软件里控制输出功率是否可行？

sjtx1971

3AG1 发表于 2017-11-2 19:34
VGS 不会超压的，辅助电源是12V 的稳定电压。

主要是在高电压大电流输出时，短路会造成场管过热，单个 ...

我准备用电机带电刷的伺服变压器,60V到0V大概不到一秒的时间,或者使用你设计的LM324电压切换电路,只需要场管能承受短时的大功耗就行.

3AG1

yanjian 发表于 2017-11-2 20:44
把系统设计成数控的，在软件里控制输出功率是否可行？

理论上可以，但实际上反应速度可能跟不上，中间环节太多，导致保护动作迟缓，无法提供可靠的保护作用。
想过用上面图中的Q11 输出端接光耦，使稳流调整的运放控置输出电流在1A 以内，仍然感觉不太可靠，运放的速度还是比较慢。