多颗MOS管的并联应用

rdj2005

在大功率产品的实际应用中，单颗MOS管往往达不到需要的电流，此时我们需要把多颗MOS管并联起来应用，这样很大的电流由多颗MOS管来分担，单颗MOS管承担的电流就比较小了，确保了器件安全稳定地工作。但是如果应用不当，也会使多颗并联的MOS管电流不均衡，甚至损坏某颗MOS管使系统崩溃。

     1.     MOS管并联的可行性分析

由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大，如果在并联过程中由于某种原因（比如RDSON比较低，电流路径比较短等）导致某颗MOS管的电流比较大，这颗MOS管会发热比较严重，内阻会升高比较多，电流就会降下来，由此可以分析出MOS管有自动均流的特性而易于并联。

http://download.21dianyuan.com/attachments/jpg/2011/06/16/13081921664df96da620f58.jpg

2.
MOS管的并联电路

理论上MOS管可以由N颗并联，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。并联的一般电路图如下：

http://download.21dianyuan.com/attachments/jpg/2011/06/16/13081921964df96dc47994a.jpg

上图中，R1-4为栅极驱动电阻，每个MOS管都由独立的栅极驱动电阻隔离驱动，主要是可以防止各个MOS管的寄生振荡，起到阻尼的作用。R1-4的取值怎么取呢？如果取值过小，可能就起不到防止各个MOS管的寄生振荡的作用，如果取值大了，开关速度会变慢，由于每个MOS管的结电容会有细微的不同，结果取值过大还会导致各个MOS管的导通速度相差比较大，所以R1-4在能够防止各个MOS管的寄生振荡的情况下尽量小到可以满足开关速度。

关于R5-R8的栅极下拉电阻，主要作用是在驱动IC损坏开路的情况下可以防止MOS管的误导通。在某些特殊的应用场合下，比如对待机电流有限制的电池保护板，这个电阻往往取值很大甚至没有，这样栅极的阻抗会比较高，极易感应比较高的静电损坏MOS管的栅极。这种应用最好在栅源极之间并联一个15V左右的稳压管。

3.
MOS管的并联对布线的要求

大家知道，多个MOS管并联，漏极和源极的走线都需要通过多个MOS管的总电流，理论上计算，如果要达到单个MOS管的电流不偏移平均电流的10%，那么总线上的总阻抗一定要控制在所有MOS管并联后的内阻的10%以内。比如过50A的电流，由我们的RU75N08R
4颗并联, RU75N08典型是8mΩ,并联后就是2 mΩ，那么漏极或源极的走线电阻需要控制在2 mΩ*10%=0.2 mΩ以内才能保证10%的均流误差。如果PCB铜箔厚度和宽度有限，我们可以加焊铜线或通过散热片达到这个低的走线内阻。

lizhenan

图看不到？

jigsaw

图看不到？
lizhenan 发表于 2012-1-6 14:40 https://www.yleee.com.cn/images/common/back.gif

    本来就没附图

ayumi7

图片挂了撒

wulishui

我试过直接去并电池保护板的mos，结果证明，不行！

lizhenan

回复 3# jigsaw

199003326

图是外链电源网的，请问是LZ的原创吗？
如果不是请说明出处。

俺来补全：
多颗MOS管的并联应用
原贴地址：http://bbs.dianyuan.com/topic/700834

在大功率产品的实际应用中，单颗MOS管往往达不到需要的电流，此时我们需要把多颗MOS管并联起来应用，这样很大的电流由多颗MOS管来分担，单颗MOS管承担的电流就比较小了，确保了器件安全稳定地工作。但是如果应用不当，也会使多颗并联的MOS管电流不均衡，甚至损坏某颗MOS管使系统崩溃。

1.
MOS管并联的可行性分析

由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大，如果在并联过程中由于某种原因（比如RDSON比较低，电流路径比较短等）导致某颗MOS管的电流比较大，这颗MOS管会发热比较严重，内阻会升高比较多，电流就会降下来，由此可以分析出MOS管有自动均流的特性而易于并联。

2.
MOS管的并联电路

理论上MOS管可以由N颗并联，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。并联的一般电路图如下

上图中，R1-4为栅极驱动电阻，每个MOS管都由独立的栅极驱动电阻隔离驱动，主要是可以防止各个MOS管的寄生振荡，起到阻尼的作用。R1-4的取值怎么取呢？如果取值过小，可能就起不到防止各个MOS管的寄生振荡的作用，如果取值大了，开关速度会变慢，由于每个MOS管的结电容会有细微的不同，结果取值过大还会导致各个MOS管的导通速度相差比较大，所以R1-4在能够防止各个MOS管的寄生振荡的情况下尽量小到可以满足开关速度。

关于R5-R8的栅极下拉电阻，主要作用是在驱动IC损坏开路的情况下可以防止MOS管的误导通。在某些特殊的应用场合下，比如对待机电流有限制的电池保护板，这个电阻往往取值很大甚至没有，这样栅极的阻抗会比较高，极易感应比较高的静电损坏MOS管的栅极。这种应用最好在栅源极之间并联一个15V左右的稳压管。

3.
MOS管的并联对布线的要求

大家知道，多个MOS管并联，漏极和源极的走线都需要通过多个MOS管的总电流，理论上计算，如果要达到单个MOS管的电流不偏移平均电流的10%，那么总线上的总阻抗一定要控制在所有MOS管并联后的内阻的10%以内。比如过50A的电流，由我们的RU75N08R
4颗并联, RU75N08典型是8mΩ,并联后就是2 mΩ，那么漏极或源极的走线电阻需要控制在2 mΩ*10%=0.2 mΩ以内才能保证10%的均流误差。如果PCB铜箔厚度和宽度有限，我们可以加焊铜线或通过散热片达到这个低的走线内阻。

jigsaw

晕，我连叉叉都没看到

aa7812

<1>  上面的理论分析，缺少失一个大前提： MOS管工作在开关状态;
<2>  如果MOS管工作在 线性状态下， 查看一些 Vgs---电流---温度 的关系图， 在同样的Vgs 情况下，
     温度升高对电流的提升作用， 要远远大于 MOS管内阻变大对电流的减少作用,
       也即温度高的MOS管，电流会越来越大。
<3> MOS管并联， 开关状态下可以， 线性状态下不可行。

aa7812

付一个 75N75 的曲线图