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楼主: 3AG1
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[3AG1电路集锦] 电池组防倒灌电路

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发表于 2022-10-15 22:31 | 显示全部楼层
问一下,如果在输入和输出端加分压电阻可以用48V电池吧,电瓶车用2块电池,一块锂电一块铅电池,不能并联,想其中一个加防反接就可以吧。充电是单独的

点评

这个电路不能用于48V 电瓶,它起不到防反接作用。 电压高于一定值后,场管会处于一直导通状态。  详情 回复 发表于 2022-10-16 13:34
 楼主| 发表于 2022-10-16 13:34 | 显示全部楼层
ling7648 发表于 2022-10-15 22:31
问一下,如果在输入和输出端加分压电阻可以用48V电池吧,电瓶车用2块电池,一块锂电一块铅电池,不能并联, ...

这个电路不能用于48V 电瓶,它起不到防反接作用。
电压高于一定值后,场管会处于一直导通状态。
 楼主| 发表于 2022-10-16 13:52 | 显示全部楼层
1413399367 发表于 2022-10-15 20:17
非常感谢帮忙搭电路试验。
低于4V是不是也能正常工作呢?
我把两个电阻换成4.7M主要是想把静态电流降至2uA ...

实验电路用下图:

电池组防倒灌电路-7.GIF
12V 电压加到输出端,也就是B1 位置,输入端测不到电压,使用数字表200uA 电流档直接串入输入端测量,测得电流0.2uA 。

我想知道输入输出两端压差比较小时,会是什么情况。看看输入比输出高0.1V是不是能完全导通,输出比输入高0.1V是不是能完全截止。模拟这个可能需要两个可调电源和两个表,我没有条件做这个实验,如果您有条件的话,有空也帮我实测一下吧。
当实验的两个电源电压低于5V 时,输入比输出高0.1V 可完全导通,输出比输入高0.1V 也能完全截止。
但当电压高于6V 后就不行了,一旦输入电压高于输出端电压,电路就会完全导通并锁死,即使断开输入端的电压,电路仍然导通,起不到防倒灌作用。
输入电压只要一直低于输出端电压,就可以起到防倒灌作用。
发表于 2022-10-16 17:31 | 显示全部楼层
但当电压高于6V 后就不行了,一旦输入电压高于输出端电压,电路就会完全导通并锁死,即使断开输入端的电压,电路仍然导通,起不到防倒灌作用。
想不明白为什么会这样呢……如果电压不能高于6V,那好像也就没有必要加上两个1N4148了……

点评

R2 、R3 电阻的阻值不能一样大,今天把R2 的阻值减小,换成2M2 就可以了。 两个电源的电压都调到12V 左右,不再出现锁死完全导通现象。 [attachimg]451779[/attachimg] 就像1 楼电路里,R1 比R2 小一样的。  详情 回复 发表于 2022-10-17 21:23
 楼主| 发表于 2022-10-17 21:23 | 显示全部楼层
1413399367 发表于 2022-10-16 17:31
想不明白为什么会这样呢……如果电压不能高于6V,那好像也就没有必要加上两个1N4148了…… ...

R2 、R3 电阻的阻值不能一样大,今天把R2 的阻值减小,换成2M2 就可以了。

两个电源的电压都调到12V 左右,不再出现锁死完全导通现象。

电池组防倒灌电路-7.GIF
就像1 楼电路里,R1 比R2 小一样的。
发表于 2022-10-18 12:24 | 显示全部楼层
好的,有空我弄个板子试试看。
我想了想,锁死的原因会不会是因为AO3400没有完全截止。原来R2、R3一样的时候,Q2的饱和深度可能不够,当调到6V之后,Q2的饱和压降加上D2的压降达到了AO3400的Vgs(th)导致NMOS没有关断。如果是这个原因的话,可能D2跟D1用压降稍低的1N4007或1N5819可靠性会更高一点。

点评

实验发现R2 略低于R3 即可,不需要比值太大。 如果都使用4M7 电阻,R3 可以在4M7 上串连一只200 ~ 300K 的电阻,或者用5M1 。 场管截止、导通会比较迅速,两组电源在12V 左右变化,Vin > Vo 导通,Vin < Vo 截止。  详情 回复 发表于 2022-10-20 22:05
 楼主| 发表于 2022-10-20 22:07 | 显示全部楼层
实验发现R2 略低于R3 即可,不需要比值太大。

如果都使用4M7 电阻,R3 可以在4M7 上串连一只200 ~ 300K 的电阻,或者用5M1 。

场管截止、导通会比较迅速,两组电源在12V 左右变化,Vin > Vo 导通,Vin < Vo 截止。
截止状态时GS 结电压在0.4V 左右,导通在1.5V 以上。

也就是没必要换那两只二极管,1N4007 或1N5819 与1N4148 相比不会有多大使用差别。
发表于 2022-10-22 22:10 | 显示全部楼层
本帖最后由 1413399367 于 2022-10-22 22:19 编辑

15楼电路搭好了。
由于没有找到2.2M的电阻,用2M的代替。Q4用了一个5V的稳压管代替。两个三极管用1AM,NMOS用A2SHB。
测试发现好像工作不正常。

输入接4.44V,测输出有4.36V。
反过来,输出接4.44V,测输入有4.17V。
进一步把输出电压提高到10.98V,测输入有10.66V。
输出端接一个电压,为什么输入端也能测出电压……是测试方法不对吗?

不知道问题出在哪……

附制作过程,帮忙检查一下吧:
防倒灌.png

点评

再输入端并一个几千欧的电阻试试。 或者像上面15 楼电路那样,加上R1 和LED1 。  详情 回复 发表于 2022-10-23 20:24
 楼主| 发表于 2022-10-23 20:24 | 显示全部楼层
1413399367 发表于 2022-10-22 22:10
15楼电路搭好了。
由于没有找到2.2M的电阻,用2M的代替。Q4用了一个5V的稳压管代替。两个三极管用1AM,NMOS ...

在输入端并一个几千欧的电阻试试。

或者像上面15 楼电路那样,加上R1 和LED1 。

点评

还是不行呢。刚刚试了一下输入端并个10k。输出端接上3.6V,测输入端有3.0V。输出端接5.3V,输入端有4.8V。输出端接9.5V,输入端有8.8V左右。测得输入端的电压都是比输出端低0.6V左右。  详情 回复 发表于 2022-10-23 22:27
发表于 2022-10-23 22:27 | 显示全部楼层
本帖最后由 1413399367 于 2022-10-24 20:38 编辑
3AG1 发表于 2022-10-23 20:24
在输入端并一个几千欧的电阻试试。

或者像上面15 楼电路那样,加上R1 和LED1 。

还是不行呢。刚刚试了一下输入端并个10k。输出端接上3.6V,测输入端有3.0V。输出端接5.3V,输入端有4.8V。输出端接9.5V,输入端有8.8V。测得输入端的电压始终都是比输出端低0.6V左右。用数字表二极管档在路测MOS的DS,Vsd=0.55V,Vds=0.62V。Vds应该不通的才对,0.62V不知道从哪来的,难道说MOS坏了?

于是我把MOS焊下来测了一下Vds,还真是0.62V……但是用电阻档量DS电阻又是不通的……现在重新换了一个管子,测试了一下:

输入端接4.40V,测输出端有4.34V,静态电流2.6uA。
输出端接4.40V,测输入端有-0.37V,静态电流2.7uA。
输出端提高到13V,输入端并10k,测得输入端电压为0V,可以正常截止。

本以为没问题了,但是发现带载能力不行呢……
输入端接4.4V,输出端接33欧,输出端电压都掉到3.4V了……

点评

15 楼电路里的D1 、D2 应该使用同厂家、同批次的二极管,三极管也是如此。 带载能力不行,你测量一下场管的GS 结电压,很可能是偏低,导通程度不够大。  详情 回复 发表于 2022-10-24 21:53

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