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形成回路的瞬间会发生什么?

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发表于 2017-9-13 17:27 | 显示全部楼层 |阅读模式
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假设图中的器件均为理想器件,
Q1的Ic可以无限大,它的CE结的击穿电压临界点为40V,击穿时间为 0 ns。
D1、D2为硅二极管,它们的电流可以无限大,并且Ube=0.7。
如果此时,我按下按钮开关,Q1会不会击穿?

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发表于 2017-9-13 17:50 | 显示全部楼层
你的电压源是什么玩意,不横流吧?电流无限大吧?肯定会击穿呀

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 楼主| 发表于 2017-9-13 18:09 | 显示全部楼层
本帖最后由 1413399367 于 2017-9-13 18:21 编辑
lrxaay 发表于 2017-9-13 17:50
你的电压源是什么玩意,不横流吧?电流无限大吧?肯定会击穿呀

电压源是理想电压源,内阻为零,短路电流无限大。
前面我假设管子的电流可以无限大的了,也就是说电流多大都不会烧管。
这里我想知道接通瞬间的电压是多少。
未按下按钮开关的时候,D2阴极到电源负极之间的电压是41V,
而按下按钮开关让Q1集电结形成回路之后,由于有D1、D2降压,所以D2阴极到电源负极之间的电压是39.6V。
那么按下按钮开关的瞬间,加在Q1集电结两端的电压是41V还是39.6V?

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发表于 2017-9-13 18:14 | 显示全部楼层
对!是的,加到三极管基极的电压不变

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发表于 2017-9-13 18:15 | 显示全部楼层
不对不对,你说的所有设备电源,三极管,二极管,电流都是无限大,扯犊子呢?炸谁合适?

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发表于 2017-9-13 18:19 | 显示全部楼层
电压源是理想电压源,内阻为零,短路电流无限大  十有八九要烧元件吧

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 楼主| 发表于 2017-9-13 18:33 | 显示全部楼层
似乎大家都没明白我想问的问题……
这样说可能大家就明白了:
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我想通过串二极管的方法把5V降到3V,给一个3V负载供电。
但这个负载对电压很敏感,短时间内(几纳秒)接上5V必然会烧毁。
我想问的是按下轻触开关的瞬间,加在负载两端的电压是5V还是3V?

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发表于 2017-9-13 19:47 | 显示全部楼层
感觉题目没啥意义
如果都是理想二极管,你1楼的图不论开关是否接通,D2输出的电压最大也就39.6V;而7楼的图开关两端电压也才2.9V

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 楼主| 发表于 2017-9-13 20:19 | 显示全部楼层
本帖最后由 1413399367 于 2017-9-13 20:23 编辑
sln.1550 发表于 2017-9-13 19:47
感觉题目没啥意义
如果都是理想二极管,你1楼的图不论开关是否接通,D2输出的电压最大也就39.6V;而7楼的 ...

按照7楼的图,是不是说断开负载的时候,没有形成回路,所以D3对地是没有电压的?
而用万用表测量D3对地 能测出电压,是因为D3到表的内阻到地形成了回路,所以才有电压?

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发表于 2017-9-13 22:15 | 显示全部楼层
1413399367 发表于 2017-9-13 20:19
按照7楼的图,是不是说断开负载的时候,没有形成回路,所以D3对地是没有电压的?
而用万用表测量D3对地  ...

不是的,电压不是电流产生的,是电荷聚集产生了电场,电场的电势差就是电压,电荷的流动才是电流。

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发表于 2017-9-14 08:53 | 显示全部楼层
烧毁器件的从来都不是电压,而是电流。。。。

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发表于 2017-9-14 09:16 | 显示全部楼层
都是理想器件了 还能烧?      烧了就不理想了

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发表于 2017-9-14 09:56 | 显示全部楼层
按你的假设,会
实际情况是几次可能不会烧,次数多了会烧

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发表于 2017-9-14 10:39 | 显示全部楼层
1413399367 发表于 2017-9-13 18:33
似乎大家都没明白我想问的问题……
这样说可能大家就明白了:

估计没人会正确答出你的这个问题。

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发表于 2017-9-14 11:33 | 显示全部楼层
理想和现实的冲突啊

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发表于 2017-9-14 11:38 | 显示全部楼层
我明白你的意思。
关键是你的这个假设:“击穿时间为 0 ns”,我猜你想假设的是硬击穿时间是0ns吧?
但硬击穿过程是先软击穿,然后过热造成物理损坏,就成了硬击穿,这里热量累积到过热一定是需要时间的,所以你的假设不成立,必须去掉这个假设才能继续分析。
二极管是压降跟电流有关系,在电流极小时,压降也是很低的,也就是说接通前,开关另一端几乎是41V电压,但一旦接通,随着电子的迁移,很快将降低到39.6V,这也需要时间。
现在你想知道的就是两个时间哪个长哪个短。
电流无限大都不会坏,说明这个系统的散热是极好的,所以瞬间击穿热量累积也没啥大问题,所以不会发生硬击穿。
没有理想的东西,还是考虑下实际吧。

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发表于 2017-9-14 11:39 | 显示全部楼层
1413399367 发表于 2017-9-13 18:33
似乎大家都没明白我想问的问题……
这样说可能大家就明白了:

通电瞬间,电流还很小时,负载电压为5V,随着电流增加,二极管压降也增大,负载电压回落到3V。所以只要负载能够耐压5V,那么这个电路用起来是没有问题的。

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发表于 2017-9-14 13:48 | 显示全部楼层
1413399367 发表于 2017-9-13 18:33
似乎大家都没明白我想问的问题……
这样说可能大家就明白了:

没有形成回路之前,二极管测量电压是5V的。形成回路后变为5-0.7-0.7=3.6V。
解决的办法为接一个20K的电阻先构成回路。

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 楼主| 发表于 2017-9-14 20:09 | 显示全部楼层
> 16 楼
二极管是压降跟电流有关系,在电流极小时,压降也是很低的,也就是说接通前,开关另一端几乎是41V电压,但一旦接通,随着电子的迁移,很快将降低到39.6V,这也需要时间。


对的,我想说的就是这个意思。
由41V转变到39.6V的时间很短,在实际的元件中,有没有什么元件能在这么短的时间内损坏?


> 18 楼
没有形成回路之前,二极管测量电压是5V的。形成回路后变为5-0.7-0.7-0.7=2.9V
解决的办法为接一个20K的电阻先构成回路。


如果负载电流小而且变化不大的话,这是不错的方法。
但是如果负载电流变化很大,这个方法就不好用了,主要是二极管的压降变化很大,多只叠加后变化更大。

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发表于 2017-9-14 23:43 来自手机 | 显示全部楼层
他的意思是通过二极管降压,理想状态的输出电压到底是VCC还是VCC-二极管压降……你要注意一个问题:电源的反应速度。电源在大电流接触瞬间会产生振荡,这个振荡的波峰要比稳定值高得多,假如是不敏感负载无事,敏感负载就自己想吧。

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wulishui 发表于 2017-9-14 23:43
他的意思是通过二极管降压,理想状态的输出电压到底是VCC还是VCC-二极管压降……你要注意一个问题:电源的 ...

他是  因为二极管的伏安特性:0A时压降也几乎为0V,电流小压降也小,电流大压降也大,只有在一定电流范围内,压降才相对稳定。
在用二极管降压的电路中,空载时输出电压接近电源电压,带负载后才下降。他担心接通的瞬间电压太高烧负载,仅此而已。
我觉得这个问题根本就没办法在理想状态下讨论,

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发表于 2017-9-15 19:08 | 显示全部楼层
在真实世界,板上p级的寄生参数就足以吃掉这些电子了,垒不起电压来。

为什么没有人问,这么敏感的器件是什么?
这么脆弱的负载,感应静电或者旁边有任何大功率设备的启动都会导致它烧毁,这种设备还是放铅盒里供着比较好。

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发表于 2017-9-16 07:45 | 显示全部楼层
理想状态下二极管还有压降吗,电源电路不能用理想状态分析吧,电压和电流都不可能跃变,无论是化学电池还是核电,都有电子流动时间,不可能出现0,就如同0除以0,无意义。
楼主的意思我大体明白了,我理解就是二级管和负载哪个反应快就烧哪个

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发表于 2017-9-19 08:08 | 显示全部楼层
理想状况下推导出来的东西并不一定能用于生产。
击穿还是要靠电流,完全没有电流只有电压应该是击穿不了的,因为都没有能量
考虑用一个电容充电到5v,接在你的器件上,如果电容容量只有1p,你的器件也会击穿吗?
二极管在极低电流下压降很小,上电瞬间电流情况如何非常复杂,你的器件会不会烧
这样分析是分析不出来的,直觉应该没什么关系,除非负载太小。
建议你搞个3v的稳压管并联在你的器件上,这样应该放心一些了吧

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发表于 2017-10-7 00:45 | 显示全部楼层
LZ你还是老实交代一下,你那个玻璃心负载是个什么鬼吧……
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