MOS管 H桥驱动交流泵

jacksong123 · 发表于 2017-7-21 16:58

朋友们帮忙一块点评优化下我这个电路，负压泵频率60hz，目前采用的是pwm波控制负压泵的功率，实现压力的控制，现在这个电路可以凑合使用，但是几个问题1、pwm频率高点，mos管就自发热，及时H桥的泵不接，mos管也会发热，就是正常使用60hz频率的时候mos管也会有漏电流产生，200ma-1a吧
2、正常工作中，不知道为何Pmos管有 GS击穿的现象，H桥供电12V，实际测量负压泵两端的波形如图，是不是与毛刺有关

longwu911 · 发表于 2017-7-21 17:06

上下臂得有死区控制，从你原理图上看是没有的

more · 发表于 2017-7-21 17:46

前级对MOS管的驱动能力不够，MOS管不是工作在开关状态，PWM频率高了就发热；P管和N管有同时导通现象，不加负载MOS管也会发热，严重时烧管。

jacksong123 · 发表于 2017-7-22 08:42

longwu911 发表于 2017-7-21 17:06
上下臂得有死区控制，从你原理图上看是没有的

可否提供下死区控制电路

jacksong123 · 发表于 2017-7-22 08:46

more 发表于 2017-7-21 17:46
前级对MOS管的驱动能力不够，MOS管不是工作在开关状态，PWM频率高了就发热；P管和N管有同时导通现象，不加 ...

开关状态到是应该没事，我实际测试过，Vgs压差超过5V就会完全导通，后者频率高我也觉得是mos管的开关损耗，频率高了几秒内可以mos管可以达到80度以上，频率50-60hz还可以，40度左右的，就是还是存在空载损耗，虽然漏电不多，几百ma，不会导致mos管发热，负压泵正常工作时候，电流可以达2a左右

jacksong123 · 发表于 2017-7-22 08:48

这个产品到是已经量产了，测试没有什么大问题，MOS管较以前老产品温度低多了，以前老产品一分钟内就能升到120度，现在温度工作40-50度左右，就是测试发现漏电流这块不大满意

wulishui · 发表于 2017-7-22 09:50

本帖最后由 wulishui 于 2017-7-22 10:08 编辑

上下臂都发热是因为没有死区交错，上臂还没关断时候下臂导通。
死区如果要电路完成那就大工程了，既然是MCU驱动的，死区可以直接由MCU产生。死区时间越大静态越低，但效率也低，可以折中取值，没条件筛选就盲目一些，比如你的管Toff是40ns就取40ns。什么叫死区？就是上臂下臂导通有一个错开时间，上臂关断，延迟40ns，下臂再导通。为何要死区时间？因为MOS有关断延迟。延迟不能用简单的积分电路来产生，可以通过积分、整形加上关断控制来共同完成。

wulishui · 发表于 2017-7-22 09:57

本帖最后由 wulishui 于 2017-7-22 10:32 编辑

下面给你个提示：选用Toff短的MOS可以减少发热，但无法避免。如要避免必须加死区控制。如果已经量产了，那后期还是换MOS方便。另外这样加一个高频二极管4148可以加快关断，同样下臂也要加。但还是不可避免。

wulishui · 发表于 2017-7-22 10:17

设计电路我不在行，但原理就是这样，可以求3AG1
无标题.png

more · 发表于 2017-7-22 11:47

jacksong123 发表于 2017-7-22 08:46
开关状态到是应该没事，我实际测试过，Vgs压差超过5V就会完全导通，后者频率高我也觉得是mos管的开关损耗 ...

静态测是这样，别忘了你的信号是PWM，在开、关状态变化的那一阶段就不是开关状态了。你的电路设计有问题，还量产了，不出故障算你幸运。

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